F4BTM300 セラミック充填PTFEラミネートおよびカスタムダブルレイヤーPCB、20mil基板材料、RF/マイクロ波設計用ED銅箔
担当者 : Sally Mao
電話番号 : 86-755-27374847
ワットスアップ : +8618277967574
製品の説明
PIM の性能、誘電率、コストのバランスを考慮するアンテナ設計者にとって、銅箔の選択は誘電体の選択と同じくらい重要になる可能性があります。のF4BTME350から台州 王陵Insulation Materials Factory は、セラミック充填 PTFE 誘電体と逆処理された RTF 銅箔を組み合わせ、商業的に拡張可能な材料で優れた PIM 特性、正確なライン制御、導体損失の低減を実現します。
F4BTME350ガラス繊維クロスで強化されており、ナノセラミック充填 PTFE ラミネート。高誘電率、低損失のナノセラミックを F4BM 誘電体層に組み込むことにより、この材料は低損失動作を維持しながら、より高い誘電率、改善された耐熱性、より低い熱膨張、より高い絶縁抵抗、より優れた熱伝導率を実現します。 F4BTME バリアントは特に次とペアになっています。逆処理RTF銅箔優れた PIM パフォーマンスを実現し、敏感な受信パスや高性能アンテナ システムに最適です。
モデルとデータシート
| 製品の技術パラメータ | 製品モデルとデータシート | ||||||
| 製品の特徴 | 試験条件 | ユニット | F4BTME298 | F4BTME300 | F4BTME320 | F4BTME350 | |
| 誘電率(代表値) | 10GHz | / | 2.98 | 3.0 | 3.2 | 3.5 | |
| 誘電率耐性 | / | / | ±0.06 | ±0.06 | ±0.06 | ±0.07 | |
| 損失正接 (代表値) | 10GHz | / | 0.0018 | 0.0018 | 0.0020 | 0.0025 | |
| 20GHz | / | 0.0023 | 0.0023 | 0.0026 | 0.0035 | ||
| 誘電率温度係数 | -55℃~150℃ | PPM/℃ | -78 | -75 | -75 | -60 | |
| はく離強度 | 1オンス F4BTM | N/mm | >1.6 | >1.6 | >1.6 | >1.6 | |
| 1オンス F4BTME | N/mm | >1.4 | >1.4 | >1.4 | >1.4 | ||
| 体積抵抗率 | 標準状態 | MΩ.cm | ≥1×10^7 | ≥1×10^7 | ≥1×10^7 | ≥1×10^7 | |
| 表面抵抗率 | 標準状態 | MΩ | ≥1×10^6 | ≥1×10^6 | ≥1×10^6 | ≥1×10^6 | |
| 耐電圧(Z方向) | 5KW、500V/秒 | KV/mm | >26 | >30 | >32 | >32 | |
| 耐電圧(XY方向) | 5KW、500V/秒 | KV | >34 | >35 | >40 | >40 | |
| 熱膨張係数 | XY方向 | -55℃~288℃ | |||||
| Z方向 | -55℃~288℃ | 78 | 72 | 58 | 51 | ||
| 熱応力 | 260℃、10秒、3回 | 層間剥離なし | 層間剥離なし | 層間剥離なし | |||
| 吸水性 | 20±2℃、24時間 | % | ≤0.05 | ||||
| 密度 | 室温 | 2.25 | 2.25 | 2.20 | |||
| 長期使用温度 | 高低温チャンバー | ℃ | |||||
| 熱伝導率 | |||||||
| F4BTME にのみ適用されます | ≤-160 | ≤-160 | ≤-160 | ||||
| 可燃性 | / | UL-94 | V-0 | ||||
| 材料構成 | / | / | PTFE、グラスファイバークロス、ナノセラミック |
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当社の PCB 機能 (F4BTME)
| PTFE/ガラス繊維クロス/ナノセラミックフィラー | |||
| 指定 (F4BTME ) | DK(10GHz) | DF(10GHz) | |
| F4BTME298 | 2.98±0.06 | 0.0018 | |
| F4BTME300 | 0.0018 | ||
| F4BTME320 | 3.2±0.06 | 0.0020 | |
| F4BTME350 | 0.0025 | ||
| 銅の重量: | 0.5オンス(17μm)、1オンス(35μm)、2オンス(70μm) | ||
| 誘電体の厚さ(または全体の厚さ) | |||
| ≤400mm×500mm | |||
| 緑、黒、青、黄、赤など | |||
| 表面仕上げ: | |||
アプリケーション
F4BTME350 でのカスタム PCB 製造
当社は高周波プリント基板の専門メーカーとして、F4BTME350をはじめとする先端材料を用いた総合的な製造サービスを提供しております。次の仕様は、代表的な 2 層リジッド PCB 実装の詳細を示しています。
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PCB 構造の詳細:
| パラメータ | 仕様 |
| 基材 | F4BTME350 |
| レイヤー数 | 2層リジッド |
| 基板寸法 | 89.77mm×45.16mm/パネル、±0.15mm |
| 仕上がり厚さ | 0.3mm |
| 銅の重量 | 1 オンス (1.4 ミル) の外層 |
| 最小トレース/スペース | 6 / 8ミル |
| 最小穴サイズ | 0.25mm |
| ビア構造 | ブラインドビアや埋め込みビアはありません |
| ビアのめっき厚さ | 20μm |
| 表面仕上げ | イマージョンゴールド |
| はんだマスク | 黒、上面のみ |
| シルクスクリーン | 白、上面のみ |
| 電気試験 | 出荷前に100% |
| アートワークの形式 | ガーバー RS-274-X |
| 品質基準 | IPCクラス2 |
より高い誘電率と低損失:
ナノセラミックフィラーは、10 GHz で 0.0025、20 GHz で 0.0035 という低い誘電正接を維持しながら、Dk を 3.5 に高めます。これにより、信号の完全性を損なうことなく、よりコンパクトな回路設計が可能になります。
優れた PIM パフォーマンス:
逆処理された RTF 銅箔と組み合わせると、F4BTME350 は ≤ -160 dBc の PIM 値を達成します。このため、PIM 関連の干渉によってシステム パフォーマンスが低下する可能性がある、基地局、衛星、フェーズド アレイ アンテナの敏感な受信パスに最適です。
正確なライン制御と低導体損失:
逆処理された RTF 銅箔は、標準の ED 銅と比較して線の鮮明度が向上し、導体損失が低くなり、厳しい配線/スペース要件と一貫したインピーダンス制御をサポートします。
優れた熱安定性:
X で 10 ppm/°C、Y で 12 ppm/°C の CTE (銅にほぼ一致) に加え、-60 ppm/°C の低い誘電率温度係数を備えた F4BTME350 は、-55 °C ~ +260 °C の極端な温度範囲にわたって安定した電気的性能を維持します。
改善された熱管理:
Z 方向の 0.54 W/m・K の熱伝導率は、高出力 RF アプリケーションでの熱の放散に役立ち、材料の高い絶縁抵抗と絶縁破壊電圧 (XY 方向で >40 kV) により信頼性の高い動作が保証されます。
放射線耐性とガス放出耐性:
この材料はガス放出と放射線耐性が低いため、これらの特性が重要となる宇宙および航空宇宙用途に適しています。
費用対効果が高く、スケーラブル:
F4BTME350 は、市販の量産可能な材料として、幅広い厚さ (0.254 mm ~ 12.0 mm) とパネル サイズ (460 × 610 mm、600 × 500 mm、914 × 1220 mm) を取り揃えており、高いコストパフォーマンスを実現し、材料の無駄を減らし、システム全体のコストを削減します。シールドまたは放熱用に、金属背面のオプション (アルミニウムまたは銅) も利用できます。
品質と可用性
すべてのボードは IPC-Class-2 品質規格に準拠して製造されており、商業、産業、および防衛関連のアプリケーションに対して堅牢な信頼性を保証します。機能の完全性を保証するために、出荷前に 100% の電気テストが実行されます。
当社の生産能力は世界中で利用可能であり、プロトタイプと数量の両方の要件に柔軟な出荷と物流サポートを提供します。当社は厳格なプロセス管理を維持しながら、迅速な納期と競争力のある価格を提供します。
カスタムスタックアップ、パネルサイズ、代替銅箔(EDまたは逆処理RTF)、メタルバックオプション(アルミニウムまたは銅)、またはその他の構成については、当社のセールス エンジニアリング チームにお問い合わせください。お客様の高周波回路基板の要件をサポートする準備ができています。
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