| MOQ: | 1個 |
| 価格: | 0.99-99USD/PCS |
| 標準パッケージ: | パッキング |
| 配達期間: | 8営業日 |
| 決済方法: | T/T、ペイパル |
| 供給能力: | 50000個 |
導入
最も要求の厳しい高周波およびミリ波アプリケーションでは、信号の完全性、最小限の挿入損失、一貫した電気的性能が最も重要であり、材料の選択が最も重要な設計上の決定となります。 Rogers RT/duroid® 5880 は、超低損失 PTFE ベースのラミネートの代表的な製品であり、優れた誘電率の均一性を維持しながら、強化 PTFE 材料の中で最も低い電気損失を実現します。
厳密なストリップラインおよびマイクロストリップ回路アプリケーション向けに設計された RT/duroid 5880 のランダムな配向のガラス マイクロファイバーにより、パネル間および広い周波数範囲の両方で優れた誘電率の均一性が実現します。極めて低い誘電正接により、この材料の有用性は Ku バンド、ミリ波周波数などにまで広がり、航空宇宙、防衛、高度な通信システムにとって信頼できる選択肢となっています。
この記事では、RT/duroid 5880 ラミネート特性の包括的な概要、詳細な 2 層 PCB 設計例、エンジニアおよび調達専門家向けの重要な調達情報を提供します。
![]()
Rogers RT/duroid 5880 ラミネートとは何ですか?
Rogers RT/duroid 5880 は、高周波回路用途向けに特別に設計されたガラス マイクロファイバー強化 PTFE (ポリテトラフルオロエチレン) 複合材料です。織布ガラス繊維強化 PTFE 素材とは異なり、RT/duroid 5880 はランダムに配向したマイクロファイバーを利用しており、織布強化材で発生する可能性のある誘電率の異方性や不均一性を排除します。
このユニークな構造により、次のような結果が得られます。
等方性の電気特性 – 方向に関係なく一貫した Dk
卓越した Dk 均一性 – パネル間で 2.20 ± 0.02
周波数全体にわたって安定したパフォーマンス – Dk は低周波数からミリ波まで一定を保ちます
超低誘電正接 – 10 GHz で 0.0004 ~ 0.0009 と、強化 PTFE 材料の中で最も低い値
主な差別化要因: 強化 PTFE 材料での損失が最も低い
RT/duroid 5880 は、現在入手可能な強化 PTFE ラミネートの中で最も低い誘電正接を提供します。 1 MHz で 0.0004、10 GHz で 0.0009 という低い Df を備え、織られたグラスファイバー PTFE 材料 (DiClad 527 など、Df ≈ 0.0017) や炭化水素セラミック材料 (RO4835 など、Df ≈ 0.0037) よりも優れた性能を発揮します。この超低損失特性により、RT/duroid 5880 は、衛星通信、ミリ波レーダー、高性能試験装置など、挿入損失の 1 dB 単位が重要となるアプリケーションに最適な材料となっています。
RT/duroid 5880 ラミネートの特性
| 財産 | 代表値 | 方向 | 単位 | 状態 | 試験方法 |
| 電気的特性 | |||||
| 誘電率、εr (プロセス) | 2.20±0.02 | Z | – | C24/23/50、10GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5¹ |
| 誘電率、εr (プロセス) | 2.2 | Z | – | C24/23/50、1MHz | IPC-TM-650 2.5.5.3 |
| 誘電率、εr (設計値) | 2.2 | Z | – | 8GHz~40GHz | 微分位相長法² |
| 誘電正接、tanδ | 0.0004 | Z | – | C24/23/50、1MHz | IPC-TM-650 2.5.5.3 |
| 誘電正接、tanδ | 0.0009 | Z | – | C24/23/50、10GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 |
| εr の熱係数 | -125 | Z | ppm/℃ | -50℃~150℃ | IPC-TM-650 2.5.5.5 |
| 体積抵抗率 | 2×10⁷ | Z | モームcm | C96/35/90 | ASTM D257 |
| 表面抵抗率 | 3×10⁷ | Z | モーム | C/96/35/90 | ASTM D257 |
| 熱特性 | |||||
| 熱膨張係数 (CTE) | 31 | × | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 |
| 48 | Y | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 | |
| 237 | Z | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 | |
| 熱伝導率 | 0.2 | Z | W/m/K | 80℃ | ASTM C518 |
| 比熱 | 0.96 (0.23) | 該当なし | J/g/K (cal/g/℃) | – | 計算された |
| 分解温度 (Td) | 500 | 該当なし | ℃ (TGA) | – | ASTM D3850 |
| 機械的性質 | |||||
| 引張弾性率 (@ 23°C) | 1070 (156) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 860(125) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 引張弾性率 (@ 100°C) | 450(65) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 380 (55) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張応力 (@ 23°C) | 29 (4.2) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 27(3.9) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張応力 (@ 100°C) | 20(2.9) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 18(2.6) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張ひずみ | 6 | × | % | あ | ASTM D638 |
| 4.9 | Y | % | あ | ASTM D638 | |
| 圧縮弾性率 (@ 23°C) | 710 (103) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 710 (103) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 940 (136) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 圧縮弾性率 (@ 100°C) | 500(73) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 500(73) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 670 (97) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 極限圧縮応力 | 27(3.9) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 29 (5.3) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 52(7.5) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 極限圧縮ひずみ | 8.5 | × | % | あ | ASTM D695 |
| 7.7 | Y | % | あ | ASTM D695 | |
| 12.5 | Z | % | あ | ASTM D695 | |
| 物理的および環境的特性 | |||||
| 吸湿性 | 0.02 | 該当なし | % | 0.062インチ (1.6mm)、D48/50 | ASTM D570 |
| 密度 | 2.2 | 該当なし | グラム/立方センチメートル | 該当なし | ASTM D792 |
| 銅剥離強度 | 31.2(5.5) | 該当なし | プリ(N/mm) | 1 oz (35μm) EDC フォイル、はんだフロート後 | IPC-TM-650 2.4.8 |
| 可燃性 | V-0 | 該当なし | – | 該当なし | UL94 |
| 鉛フリープロセス対応 | はい | 該当なし | – | 該当なし | – |
注:
1. 仕様値は、IPC-TM-650 メソッド 2.5.5.5 に従って、約 10 GHz、23°C で測定されます。 1オンスに基づいたテスト。電解銅箔。
2. 設計 Dk は、最も一般的な厚さでテストされたいくつかの異なるロットの材料からの平均値です。
3. 特に明記されている場合を除き、標準値を仕様限界として使用しないでください。
4. SI 単位を最初に示し、その他の頻繁に使用される単位を括弧内に示します。
各出荷には、ロット固有のデータを含む適合証明書が付属します。
機能と利点の概要
| 特徴 | 利点 |
| 超低誘電正接 (0.0004 – 0.0009 @ 10 GHz) | 強化PTFE材料の中で最も損失が少ない。 Kuバンドやミリ波まで使いやすさを拡張 |
| DK 2.20 ± 0.02 | パネル間の優れた均一性。予測可能なインピーダンス制御 |
| ランダムな方向に配向したガラスマイクロファイバー | 等方性の電気的特性。 Dk異方性を解消します |
| 全周波数にわたって安定した Dk | 低周波数から >40 GHz まで一貫したパフォーマンス |
| 低吸湿性(0.02%) | 湿気の多い環境でのパフォーマンスのドリフトはごくわずかです |
| 低い Z 軸 CTE (237 ppm/°C) | 熱環境下でも信頼性の高いメッキスルーホール |
| 優れた耐薬品性 | PCB 処理に使用されるすべての溶剤および試薬に対する耐性 |
| 鉛フリープロセス対応 | 最新の高温組み立てプロセスに最適 |
| V-0 引火性評価 | 安全性が重要な用途向けにUL 94に準拠 |
| 容易な機械加工性 | 切断、せん断、穴あけ、フライス加工を行って形状を整えることができます |
標準製品
RT/duroid 5880 ラミネートは、幅広い厚さ、パネル サイズ、銅クラッディング オプションで利用できます。
| 厚さ (インチ) | 厚さ(mm) | 許容範囲 |
| 0.005" | 0.127mm | ±0.0005インチ |
| 0.010" | 0.252mm | ±0.0007インチ |
| 0.020" | 0.508mm | ±0.0015インチ |
| 0.031" | 0.787mm | ±0.0020" |
| 0.062" | 1.575mm | ±0.0030インチ |
標準パネルサイズとクラッディング
| パラメータ | オプション |
| 標準パネルサイズ | 18" × 12" (457 × 305 mm) |
| 18" × 24" (457 × 610 mm) | |
| 追加のパネルサイズも利用可能 | |
| 電着銅 (EDC) | 1/2オンス(18μm)HH/HH |
| 1オンス(35μm) *H1/H1* | |
| 圧延銅箔 | 1/2オンス(18μm) ※5R/5R※ |
| 1オンス(35μm) ※1R/1R※ | |
| 追加の被覆材 | 重金属、抵抗箔、クラッドなし、アルミニウム、銅、または真鍮のプレートが利用可能 |
RT/duroid 5880 の実際のアプリケーションを実証するために、以下は完全な 2 層リジッド PCB 設計のケースです。
![]()
PCB設計仕様
| パラメータ | 仕様 |
| 基材 | ロジャース RT/デュロイド 5880 |
| レイヤー数 | 2層リジッド |
| 基板寸法 | 102.00 mm × 65.00 mm / パネル、±0.15 mm |
| 最小トレース/スペース | 4/6ミル |
| 最小穴サイズ | 0.35mm |
| ブラインド/埋め込みビア | なし |
| 完成銅重量 | 全層 1 オンス (35 μm) |
| ビアのめっき厚さ | 20μm |
| 表面仕上げ | イマージョン ゴールド (ENIG) |
| トップ シルクスクリーン | なし |
| 下部シルクスクリーン | なし |
| 上部ソルダーマスク | なし |
| 底部はんだマスク | なし |
| 電気試験 | 出荷前に100% |
| アートワークの形式 | ガーバー RS-274-X |
| 受け入れられた規格 | IPCクラス2 |
| サービスエリア | 世界中 |
設計上の観察
この大型ボード (102 mm × 65 mm) は、ネットが 2 つしかないにもかかわらず、比較的多数のコンポーネント数 (46 コンポーネント) とかなりの数のビア (29 ビア) を備えています。
主な所見は次のとおりです。
ビア密度が高い – 接地ビアやシールドビアが頻繁に使用され、ミリ波周波数で動作する高感度のマイクロ波設計に典型的
はんだマスクなし – RT/duroid 5880 の超低損失特性を維持します。はんだマスクは追加の誘電損失を引き起こす可能性があります
シルクスクリーンなし – きれいな RF 表面を維持します。汚染を避ける
ENIG 表面仕上げ – 優れたはんだ付け性と平坦性を提供します。ファインピッチSMTコンポーネントに最適
RT/duroid 5880 の超低損失 (Df ≈ 0.0009) – Ku バンドおよびミリ波周波数での信号の完全性を維持するために重要です
IPC-Class-2 準拠 – 商用航空宇宙および防衛アプリケーションの信頼性を確保
製造プロセスのハイライト
機械加工が容易 – RT/duroid 5880 ラミネートは、標準的な PTFE 加工技術を使用して切断、せん断、穴あけ、フライス加工が可能です。
優れた耐薬品性 – 回路のエッチングやエッジや穴のメッキに使用されるすべての溶剤や試薬に対して耐性があります。
ファインピッチ機能 – 4/6 ミルの配線/間隔により、高密度ミリ波回路レイアウトをサポート
100% 電気テスト - すべてのボードの機能的完全性を保証します
代表的な用途
•民間航空会社のブロードバンド アンテナ
• マイクロストリップおよびストリップライン回路
• ミリ波アプリケーション
• レーダーシステム
• ミサイル誘導システム
• ポイントツーポイントデジタルラジオアンテナ
結論
Rogers RT/duroid 5880 ラミネートは、高周波およびミリ波アプリケーション向けの超低損失 PTFE ベース材料の最高峰です。 2.20 ± 0.02 の誘電率と 10 GHz での誘電正接が 0.0009 という低い誘電率を備えた RT/duroid 5880 は、現在入手可能な強化 PTFE 材料の中で最も低い電気損失を実現します。
主な利点は次のとおりです。
超低損失 (Df = 0.0004 – 0.0009) – Ku バンドおよびミリ波周波数での動作が可能
優れた Dk 均一性 (2.20 ± 0.02) – 予測可能なインピーダンス制御。一貫したパフォーマンス
等方性特性 – ランダムなマイクロファイバー強化により、Dk の異方性が排除されます。
全周波数にわたって安定したパフォーマンス – 低周波数から >40 GHz まで一定の Dk
低吸湿性 (0.02%) – 湿気の多い環境でのパフォーマンスのドリフトは無視できます。
NASA 低アウトガス – 航空宇宙および宇宙用途に最適
V-0 可燃性 – 安全性が重要なシステム向けに UL 94 に準拠
容易な機械加工 – 標準的な方法を使用して、切断、せん断、穴あけ、フライス加工が可能
RT/duroid 5880 は、レーダー システム、衛星通信、ミリ波バックホール、または高性能テスト機器のいずれで使用される場合でも、要求の厳しい高周波回路設計に究極の低損失基盤を提供します。
| MOQ: | 1個 |
| 価格: | 0.99-99USD/PCS |
| 標準パッケージ: | パッキング |
| 配達期間: | 8営業日 |
| 決済方法: | T/T、ペイパル |
| 供給能力: | 50000個 |
導入
最も要求の厳しい高周波およびミリ波アプリケーションでは、信号の完全性、最小限の挿入損失、一貫した電気的性能が最も重要であり、材料の選択が最も重要な設計上の決定となります。 Rogers RT/duroid® 5880 は、超低損失 PTFE ベースのラミネートの代表的な製品であり、優れた誘電率の均一性を維持しながら、強化 PTFE 材料の中で最も低い電気損失を実現します。
厳密なストリップラインおよびマイクロストリップ回路アプリケーション向けに設計された RT/duroid 5880 のランダムな配向のガラス マイクロファイバーにより、パネル間および広い周波数範囲の両方で優れた誘電率の均一性が実現します。極めて低い誘電正接により、この材料の有用性は Ku バンド、ミリ波周波数などにまで広がり、航空宇宙、防衛、高度な通信システムにとって信頼できる選択肢となっています。
この記事では、RT/duroid 5880 ラミネート特性の包括的な概要、詳細な 2 層 PCB 設計例、エンジニアおよび調達専門家向けの重要な調達情報を提供します。
![]()
Rogers RT/duroid 5880 ラミネートとは何ですか?
Rogers RT/duroid 5880 は、高周波回路用途向けに特別に設計されたガラス マイクロファイバー強化 PTFE (ポリテトラフルオロエチレン) 複合材料です。織布ガラス繊維強化 PTFE 素材とは異なり、RT/duroid 5880 はランダムに配向したマイクロファイバーを利用しており、織布強化材で発生する可能性のある誘電率の異方性や不均一性を排除します。
このユニークな構造により、次のような結果が得られます。
等方性の電気特性 – 方向に関係なく一貫した Dk
卓越した Dk 均一性 – パネル間で 2.20 ± 0.02
周波数全体にわたって安定したパフォーマンス – Dk は低周波数からミリ波まで一定を保ちます
超低誘電正接 – 10 GHz で 0.0004 ~ 0.0009 と、強化 PTFE 材料の中で最も低い値
主な差別化要因: 強化 PTFE 材料での損失が最も低い
RT/duroid 5880 は、現在入手可能な強化 PTFE ラミネートの中で最も低い誘電正接を提供します。 1 MHz で 0.0004、10 GHz で 0.0009 という低い Df を備え、織られたグラスファイバー PTFE 材料 (DiClad 527 など、Df ≈ 0.0017) や炭化水素セラミック材料 (RO4835 など、Df ≈ 0.0037) よりも優れた性能を発揮します。この超低損失特性により、RT/duroid 5880 は、衛星通信、ミリ波レーダー、高性能試験装置など、挿入損失の 1 dB 単位が重要となるアプリケーションに最適な材料となっています。
RT/duroid 5880 ラミネートの特性
| 財産 | 代表値 | 方向 | 単位 | 状態 | 試験方法 |
| 電気的特性 | |||||
| 誘電率、εr (プロセス) | 2.20±0.02 | Z | – | C24/23/50、10GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5¹ |
| 誘電率、εr (プロセス) | 2.2 | Z | – | C24/23/50、1MHz | IPC-TM-650 2.5.5.3 |
| 誘電率、εr (設計値) | 2.2 | Z | – | 8GHz~40GHz | 微分位相長法² |
| 誘電正接、tanδ | 0.0004 | Z | – | C24/23/50、1MHz | IPC-TM-650 2.5.5.3 |
| 誘電正接、tanδ | 0.0009 | Z | – | C24/23/50、10GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 |
| εr の熱係数 | -125 | Z | ppm/℃ | -50℃~150℃ | IPC-TM-650 2.5.5.5 |
| 体積抵抗率 | 2×10⁷ | Z | モームcm | C96/35/90 | ASTM D257 |
| 表面抵抗率 | 3×10⁷ | Z | モーム | C/96/35/90 | ASTM D257 |
| 熱特性 | |||||
| 熱膨張係数 (CTE) | 31 | × | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 |
| 48 | Y | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 | |
| 237 | Z | ppm/℃ | 0℃~100℃ | IPC-TM-650 2.4.41 | |
| 熱伝導率 | 0.2 | Z | W/m/K | 80℃ | ASTM C518 |
| 比熱 | 0.96 (0.23) | 該当なし | J/g/K (cal/g/℃) | – | 計算された |
| 分解温度 (Td) | 500 | 該当なし | ℃ (TGA) | – | ASTM D3850 |
| 機械的性質 | |||||
| 引張弾性率 (@ 23°C) | 1070 (156) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 860(125) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 引張弾性率 (@ 100°C) | 450(65) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 380 (55) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張応力 (@ 23°C) | 29 (4.2) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 27(3.9) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張応力 (@ 100°C) | 20(2.9) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 |
| 18(2.6) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D638 | |
| 極限引張ひずみ | 6 | × | % | あ | ASTM D638 |
| 4.9 | Y | % | あ | ASTM D638 | |
| 圧縮弾性率 (@ 23°C) | 710 (103) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 710 (103) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 940 (136) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 圧縮弾性率 (@ 100°C) | 500(73) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 500(73) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 670 (97) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 極限圧縮応力 | 27(3.9) | × | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 |
| 29 (5.3) | Y | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 52(7.5) | Z | MPa (kpsi) | あ | ASTM D695 | |
| 極限圧縮ひずみ | 8.5 | × | % | あ | ASTM D695 |
| 7.7 | Y | % | あ | ASTM D695 | |
| 12.5 | Z | % | あ | ASTM D695 | |
| 物理的および環境的特性 | |||||
| 吸湿性 | 0.02 | 該当なし | % | 0.062インチ (1.6mm)、D48/50 | ASTM D570 |
| 密度 | 2.2 | 該当なし | グラム/立方センチメートル | 該当なし | ASTM D792 |
| 銅剥離強度 | 31.2(5.5) | 該当なし | プリ(N/mm) | 1 oz (35μm) EDC フォイル、はんだフロート後 | IPC-TM-650 2.4.8 |
| 可燃性 | V-0 | 該当なし | – | 該当なし | UL94 |
| 鉛フリープロセス対応 | はい | 該当なし | – | 該当なし | – |
注:
1. 仕様値は、IPC-TM-650 メソッド 2.5.5.5 に従って、約 10 GHz、23°C で測定されます。 1オンスに基づいたテスト。電解銅箔。
2. 設計 Dk は、最も一般的な厚さでテストされたいくつかの異なるロットの材料からの平均値です。
3. 特に明記されている場合を除き、標準値を仕様限界として使用しないでください。
4. SI 単位を最初に示し、その他の頻繁に使用される単位を括弧内に示します。
各出荷には、ロット固有のデータを含む適合証明書が付属します。
機能と利点の概要
| 特徴 | 利点 |
| 超低誘電正接 (0.0004 – 0.0009 @ 10 GHz) | 強化PTFE材料の中で最も損失が少ない。 Kuバンドやミリ波まで使いやすさを拡張 |
| DK 2.20 ± 0.02 | パネル間の優れた均一性。予測可能なインピーダンス制御 |
| ランダムな方向に配向したガラスマイクロファイバー | 等方性の電気的特性。 Dk異方性を解消します |
| 全周波数にわたって安定した Dk | 低周波数から >40 GHz まで一貫したパフォーマンス |
| 低吸湿性(0.02%) | 湿気の多い環境でのパフォーマンスのドリフトはごくわずかです |
| 低い Z 軸 CTE (237 ppm/°C) | 熱環境下でも信頼性の高いメッキスルーホール |
| 優れた耐薬品性 | PCB 処理に使用されるすべての溶剤および試薬に対する耐性 |
| 鉛フリープロセス対応 | 最新の高温組み立てプロセスに最適 |
| V-0 引火性評価 | 安全性が重要な用途向けにUL 94に準拠 |
| 容易な機械加工性 | 切断、せん断、穴あけ、フライス加工を行って形状を整えることができます |
標準製品
RT/duroid 5880 ラミネートは、幅広い厚さ、パネル サイズ、銅クラッディング オプションで利用できます。
| 厚さ (インチ) | 厚さ(mm) | 許容範囲 |
| 0.005" | 0.127mm | ±0.0005インチ |
| 0.010" | 0.252mm | ±0.0007インチ |
| 0.020" | 0.508mm | ±0.0015インチ |
| 0.031" | 0.787mm | ±0.0020" |
| 0.062" | 1.575mm | ±0.0030インチ |
標準パネルサイズとクラッディング
| パラメータ | オプション |
| 標準パネルサイズ | 18" × 12" (457 × 305 mm) |
| 18" × 24" (457 × 610 mm) | |
| 追加のパネルサイズも利用可能 | |
| 電着銅 (EDC) | 1/2オンス(18μm)HH/HH |
| 1オンス(35μm) *H1/H1* | |
| 圧延銅箔 | 1/2オンス(18μm) ※5R/5R※ |
| 1オンス(35μm) ※1R/1R※ | |
| 追加の被覆材 | 重金属、抵抗箔、クラッドなし、アルミニウム、銅、または真鍮のプレートが利用可能 |
RT/duroid 5880 の実際のアプリケーションを実証するために、以下は完全な 2 層リジッド PCB 設計のケースです。
![]()
PCB設計仕様
| パラメータ | 仕様 |
| 基材 | ロジャース RT/デュロイド 5880 |
| レイヤー数 | 2層リジッド |
| 基板寸法 | 102.00 mm × 65.00 mm / パネル、±0.15 mm |
| 最小トレース/スペース | 4/6ミル |
| 最小穴サイズ | 0.35mm |
| ブラインド/埋め込みビア | なし |
| 完成銅重量 | 全層 1 オンス (35 μm) |
| ビアのめっき厚さ | 20μm |
| 表面仕上げ | イマージョン ゴールド (ENIG) |
| トップ シルクスクリーン | なし |
| 下部シルクスクリーン | なし |
| 上部ソルダーマスク | なし |
| 底部はんだマスク | なし |
| 電気試験 | 出荷前に100% |
| アートワークの形式 | ガーバー RS-274-X |
| 受け入れられた規格 | IPCクラス2 |
| サービスエリア | 世界中 |
設計上の観察
この大型ボード (102 mm × 65 mm) は、ネットが 2 つしかないにもかかわらず、比較的多数のコンポーネント数 (46 コンポーネント) とかなりの数のビア (29 ビア) を備えています。
主な所見は次のとおりです。
ビア密度が高い – 接地ビアやシールドビアが頻繁に使用され、ミリ波周波数で動作する高感度のマイクロ波設計に典型的
はんだマスクなし – RT/duroid 5880 の超低損失特性を維持します。はんだマスクは追加の誘電損失を引き起こす可能性があります
シルクスクリーンなし – きれいな RF 表面を維持します。汚染を避ける
ENIG 表面仕上げ – 優れたはんだ付け性と平坦性を提供します。ファインピッチSMTコンポーネントに最適
RT/duroid 5880 の超低損失 (Df ≈ 0.0009) – Ku バンドおよびミリ波周波数での信号の完全性を維持するために重要です
IPC-Class-2 準拠 – 商用航空宇宙および防衛アプリケーションの信頼性を確保
製造プロセスのハイライト
機械加工が容易 – RT/duroid 5880 ラミネートは、標準的な PTFE 加工技術を使用して切断、せん断、穴あけ、フライス加工が可能です。
優れた耐薬品性 – 回路のエッチングやエッジや穴のメッキに使用されるすべての溶剤や試薬に対して耐性があります。
ファインピッチ機能 – 4/6 ミルの配線/間隔により、高密度ミリ波回路レイアウトをサポート
100% 電気テスト - すべてのボードの機能的完全性を保証します
代表的な用途
•民間航空会社のブロードバンド アンテナ
• マイクロストリップおよびストリップライン回路
• ミリ波アプリケーション
• レーダーシステム
• ミサイル誘導システム
• ポイントツーポイントデジタルラジオアンテナ
結論
Rogers RT/duroid 5880 ラミネートは、高周波およびミリ波アプリケーション向けの超低損失 PTFE ベース材料の最高峰です。 2.20 ± 0.02 の誘電率と 10 GHz での誘電正接が 0.0009 という低い誘電率を備えた RT/duroid 5880 は、現在入手可能な強化 PTFE 材料の中で最も低い電気損失を実現します。
主な利点は次のとおりです。
超低損失 (Df = 0.0004 – 0.0009) – Ku バンドおよびミリ波周波数での動作が可能
優れた Dk 均一性 (2.20 ± 0.02) – 予測可能なインピーダンス制御。一貫したパフォーマンス
等方性特性 – ランダムなマイクロファイバー強化により、Dk の異方性が排除されます。
全周波数にわたって安定したパフォーマンス – 低周波数から >40 GHz まで一定の Dk
低吸湿性 (0.02%) – 湿気の多い環境でのパフォーマンスのドリフトは無視できます。
NASA 低アウトガス – 航空宇宙および宇宙用途に最適
V-0 可燃性 – 安全性が重要なシステム向けに UL 94 に準拠
容易な機械加工 – 標準的な方法を使用して、切断、せん断、穴あけ、フライス加工が可能
RT/duroid 5880 は、レーダー システム、衛星通信、ミリ波バックホール、または高性能テスト機器のいずれで使用される場合でも、要求の厳しい高周波回路設計に究極の低損失基盤を提供します。