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| MOQ: | 1 |
| 価格: | USD 9.99-99.99 |
| 標準パッケージ: | 真空 |
| 配達期間: | 10仕事日 |
| 決済方法: | T / T、Paypalの |
| 供給能力: | 1ヶ月あたりの45000部分 |
ロジャースTMM4のマイクロウェーブは液浸の金とのプリント基板15mil 20mil 25mil 30mil 50mil 60milを
（PCBは顧客用プロダクト、映像であり示されている変数は参照のためちょうどである）
ロジャースTMM4のthermosetマイクロウェーブ材料は陶磁器、炭化水素の高いめっきによ穴の信頼性のstriplineおよびマイクロストリップの適用のために設計されているthermosetポリマー合成物である。それは4.70で比誘電率と利用できる。TMM4の電気および機械特性は専門にされた生産の技術を要求しないで陶磁器および従来のPTFEのマイクロウェーブ回路材料の利点の多数を、結合する。それはelectrolessめっき前にナトリウムのnapthanateの処置を要求しない。
TMM4に比誘電率、普通より少なくより30 PPM/°C.の特別に低い熱係数がある。密接に銅に一致する材料の等方性熱膨張率は、非常に穴を通してめっきされる高い信頼性の生産および低い腐食の収縮の価値を可能にする。なお、TMM4の熱伝導性は二度およそ従来のPTFE/ceramic材料のそれであり、熱取り外しを促進する。
TMM4はthermoset樹脂に熱されたとき基づき、柔らかくならない。その結果、回線トレースへの構成の鉛のワイヤー結合は持ち上がるパッドの心配か基質の変形なしで行うことができる。
私達の機能（TMM4）
| PCB材料: | 陶磁器、炭化水素およびthermosetポリマーの合成物 |
| デジグネーター: | TMM4 |
| 比誘電率: | 4.5 ±0.045 （プロセス）;4.7 （設計） |
| 層の計算: | 1つの層、2つの層 |
| 銅の重量: | 0.5oz （17 µm）、1oz （35µm）、2oz （70µm） |
| PCBの厚さ: | 15mil （0.381mm）、20mil （0.508mm）、25mil （0.635mm）、30mil （0.762mm）、50mil （1.270mm）、60mil （1.524mm）、75mil （1.905mm）、100mil （2.540mm）、125mil （3.175mm）等。 |
| PCBのサイズ: | ≤400mm X 500mm |
| はんだのマスク: | 緑、黒く、青、黄色、赤い等。 |
| 表面の終わり: | 裸の銅、HASL、ENIGの液浸の錫、OSP。 |
主要出願は次の通りある:
破片テスター
誘電性の偏光子およびレンズ
フィルターおよびカプラー
グローバルな配置方法のアンテナ
パッチのアンテナ
電力増幅器およびコンバイナー
RFおよびマイクロウェーブ回路部品
衛星通信システム
TMM4のデータ用紙
| TMMYのタイプ価値 | ||||||
| 特性 | TMM4 | 方向 | 単位 | 条件 | テスト方法 | |
| 比誘電率、εProcess | 4.5±0.045 | Z | 10のGHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | ||
| 比誘電率、εDesign | 4.7 | - | - | 40のGHzへの8GHz | 微分位相の長さ方法 | |
| 誘電正接（プロセス） | 0.002 | Z | - | 10のGHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | |
| 比誘電率の熱係数 | +15 | - | ppm/°K | -55℃-125℃ | IPC-TM-650 2.5.5.5 | |
| 絶縁抵抗 | >2000年 | - | Gohm | C/96/60/95 | ASTM D257 | |
| 容積抵抗 | 6 x 108 | - | Mohm.cm | - | ASTM D257 | |
| 表面の抵抗 | 1 x 109 | - | Mohm | - | ASTM D257 | |
| 電気強さ（絶縁耐力） | 371 | Z | V/mil | - | IPC-TM-650方法2.5.6.2 | |
| 熱特性 | ||||||
| Decompositioinの温度（Td） | 425 | 425 | ℃TGA | - | ASTM D3850 | |
| - x熱膨張率 | 16 | X | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| - Y熱膨張率 | 16 | Y | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| - Z熱膨張率 | 21 | Z | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| 熱伝導性 | 0.7 | Z | W/m/K | 80 ℃ | ASTM C518 | |
| 機械特性 | ||||||
| 熱圧力の後の銅の皮強さ | 5.7 （1.0） | X、Y | lb/inch （N/mm） | はんだの浮遊物の後1つのoz。EDC | IPC-TM-650方法2.4.8 | |
| Flexural強さ（MD/CMD） | 15.91 | X、Y | kpsi | ASTM D790 | ||
| Flexural係数（MD/CMD） | 1.76 | X、Y | Mpsi | ASTM D790 | ||
| 物理的性質 | ||||||
| 湿気の吸収（2X2） | 1.27mm （0.050"） | 0.07 | - | % | D/24/23 | ASTM D570 |
| 3.18mm （0.125"） | 0.18 | |||||
| 比重 | 2.07 | - | - | ASTM D792 | ||
| 比熱容量 | 0.83 | - | J/g/K | 計算される | ||
| 互換性がある無鉛プロセス | 肯定 | - | - | - | - | |
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| MOQ: | 1 |
| 価格: | USD 9.99-99.99 |
| 標準パッケージ: | 真空 |
| 配達期間: | 10仕事日 |
| 決済方法: | T / T、Paypalの |
| 供給能力: | 1ヶ月あたりの45000部分 |
ロジャースTMM4のマイクロウェーブは液浸の金とのプリント基板15mil 20mil 25mil 30mil 50mil 60milを
（PCBは顧客用プロダクト、映像であり示されている変数は参照のためちょうどである）
ロジャースTMM4のthermosetマイクロウェーブ材料は陶磁器、炭化水素の高いめっきによ穴の信頼性のstriplineおよびマイクロストリップの適用のために設計されているthermosetポリマー合成物である。それは4.70で比誘電率と利用できる。TMM4の電気および機械特性は専門にされた生産の技術を要求しないで陶磁器および従来のPTFEのマイクロウェーブ回路材料の利点の多数を、結合する。それはelectrolessめっき前にナトリウムのnapthanateの処置を要求しない。
TMM4に比誘電率、普通より少なくより30 PPM/°C.の特別に低い熱係数がある。密接に銅に一致する材料の等方性熱膨張率は、非常に穴を通してめっきされる高い信頼性の生産および低い腐食の収縮の価値を可能にする。なお、TMM4の熱伝導性は二度およそ従来のPTFE/ceramic材料のそれであり、熱取り外しを促進する。
TMM4はthermoset樹脂に熱されたとき基づき、柔らかくならない。その結果、回線トレースへの構成の鉛のワイヤー結合は持ち上がるパッドの心配か基質の変形なしで行うことができる。
私達の機能（TMM4）
| PCB材料: | 陶磁器、炭化水素およびthermosetポリマーの合成物 |
| デジグネーター: | TMM4 |
| 比誘電率: | 4.5 ±0.045 （プロセス）;4.7 （設計） |
| 層の計算: | 1つの層、2つの層 |
| 銅の重量: | 0.5oz （17 µm）、1oz （35µm）、2oz （70µm） |
| PCBの厚さ: | 15mil （0.381mm）、20mil （0.508mm）、25mil （0.635mm）、30mil （0.762mm）、50mil （1.270mm）、60mil （1.524mm）、75mil （1.905mm）、100mil （2.540mm）、125mil （3.175mm）等。 |
| PCBのサイズ: | ≤400mm X 500mm |
| はんだのマスク: | 緑、黒く、青、黄色、赤い等。 |
| 表面の終わり: | 裸の銅、HASL、ENIGの液浸の錫、OSP。 |
主要出願は次の通りある:
破片テスター
誘電性の偏光子およびレンズ
フィルターおよびカプラー
グローバルな配置方法のアンテナ
パッチのアンテナ
電力増幅器およびコンバイナー
RFおよびマイクロウェーブ回路部品
衛星通信システム
TMM4のデータ用紙
| TMMYのタイプ価値 | ||||||
| 特性 | TMM4 | 方向 | 単位 | 条件 | テスト方法 | |
| 比誘電率、εProcess | 4.5±0.045 | Z | 10のGHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | ||
| 比誘電率、εDesign | 4.7 | - | - | 40のGHzへの8GHz | 微分位相の長さ方法 | |
| 誘電正接（プロセス） | 0.002 | Z | - | 10のGHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | |
| 比誘電率の熱係数 | +15 | - | ppm/°K | -55℃-125℃ | IPC-TM-650 2.5.5.5 | |
| 絶縁抵抗 | >2000年 | - | Gohm | C/96/60/95 | ASTM D257 | |
| 容積抵抗 | 6 x 108 | - | Mohm.cm | - | ASTM D257 | |
| 表面の抵抗 | 1 x 109 | - | Mohm | - | ASTM D257 | |
| 電気強さ（絶縁耐力） | 371 | Z | V/mil | - | IPC-TM-650方法2.5.6.2 | |
| 熱特性 | ||||||
| Decompositioinの温度（Td） | 425 | 425 | ℃TGA | - | ASTM D3850 | |
| - x熱膨張率 | 16 | X | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| - Y熱膨張率 | 16 | Y | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| - Z熱膨張率 | 21 | Z | ppm/K | 0から140 ℃ | ASTM E 831 IPC-TM-650、2.4.41 | |
| 熱伝導性 | 0.7 | Z | W/m/K | 80 ℃ | ASTM C518 | |
| 機械特性 | ||||||
| 熱圧力の後の銅の皮強さ | 5.7 （1.0） | X、Y | lb/inch （N/mm） | はんだの浮遊物の後1つのoz。EDC | IPC-TM-650方法2.4.8 | |
| Flexural強さ（MD/CMD） | 15.91 | X、Y | kpsi | ASTM D790 | ||
| Flexural係数（MD/CMD） | 1.76 | X、Y | Mpsi | ASTM D790 | ||
| 物理的性質 | ||||||
| 湿気の吸収（2X2） | 1.27mm （0.050"） | 0.07 | - | % | D/24/23 | ASTM D570 |
| 3.18mm （0.125"） | 0.18 | |||||
| 比重 | 2.07 | - | - | ASTM D792 | ||
| 比熱容量 | 0.83 | - | J/g/K | 計算される | ||
| 互換性がある無鉛プロセス | 肯定 | - | - | - | - | |
