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F4BME220 0.254mm 0.508mm 1.524mm 基板の上に構築された 2 面 1 オンスの処理されたホイール銅塗層ラミネート

F4BME220 0.254mm 0.508mm 1.524mm 基板の上に構築された 2 面 1 オンスの処理されたホイール銅塗層ラミネート

MOQ: 1個
価格: 0.99-99USD/PCS
標準パッケージ: パッキング
配達期間: 2〜10営業日
決済方法: T/T、ペイパル
供給能力: 50000個
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
Wangling
証明
ISO9001
モデル番号
F4BME220
最小注文数量:
1個
価格:
0.99-99USD/PCS
パッケージの詳細:
パッキング
受渡し時間:
2〜10営業日
支払条件:
T/T、ペイパル
供給の能力:
50000個
製品説明

F4BME220 高周波銅塗層ラミネート

 

 

F4BME220は高性能でガラス繊維で強化されたPTFE (ポリテトラフッロエチレン)銅で覆われたラミネート設計された先進的なマイクロ波およびラジオ周波数 (RF) アプリケーションのためにこの材料は安定した電気性能の優れた組み合わせを提供しています優れた信頼性と高コスト効率により,輸入品に代わる競争力のある代替品として位置づけられています.

基本技術と構成

 


繊維布とPTFE樹脂を科学的に合成し,リバース・トリートメント・フォイル (RTF) の銅この特殊な銅製ホイール型は"E"型 (F4BME) のために極めて重要であり,ED銅を使用する標準F4BMシリーズと区別されます.RTF銅製のフィルムは,低プロフィールの表面を提供するように設計されています優れたパッシブインターモダレーション (PIM) 性能 (≤-159 dBc),細線回路のより正確なエッチング制御,高周波で導体損失を減らすために不可欠です.

 

製品の技術パラメータ 製品モデル/データ
      F4BM217 F4BM220 F4BM233 F4BM245
製品の特徴 試験条件 ユニット F4BME217 F4BME220 F4BME233 F4BME245
変電圧定数 (典型値) 10GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45
変電容量容量 / / ±004 ±004 ±004 ±005
損失因数 (典型値) 10GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012
20GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017
変電気温係数 -55°C〜150°C PPM/°C -150ドル -142 だった -130 -120
ピートオフ強度 1 OZ F4BM N/mm >1.8 >1.8 >1.8 >1.8
1 OZ F4BME N/mm >1.6 >1.6 >1.6 >1.6
容積抵抗性 普通 MΩ.cm ≥6×106 ≥6×106 ≥6×106 ≥6×106
表面抵抗 普通 ≥1×106 ≥1×106 ≥1×106 ≥1×106
電気強度 (Z方向) 5KW,500V/s KV/mm >23 >23 >23 >25
断定電圧 (XY方向) 5KW,500V/s KV >30 >30 >32 >32
熱膨張係数 XとY方向 -55°Cから288°C ppm/oC 25・34 25・34 22・30 20・25
z方向 -55°Cから288°C ppm/oC 240 240 205 187
熱圧 260°C,10秒,3倍 デラミネーションなし デラミネーションなし デラミネーションなし デラミネーションなし
吸収率 20±2°C 24時間 % ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08
密度 普通の温度 g/cm3 2.17 2.18 2.2 2.22
動作温度 高低温室 °C -55+260 -55+260 -55+260 -55+260
熱伝導性 z方向 W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.3
PIM値 F4BME にのみ適用される dBc ≤159 ≤159 ≤159 ≤159
炎症性 / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0
材料構成要素 / / PTFE,ガラス繊維の布
F4BMEはEDの銅製フィルムと組み合わせられ,F4BMEは逆のRTFの銅製フィルムと組み合わせられる.

 

主要な電気仕様

  • ダイレクトリコンスタント (Dk): 10 GHz で名値 2.20 で,厳格な許容量は ± 0 です.04.
  • 分散因数 (Df): 10 GHz で 0.001 と 20 GHz で 0.0014 の超低損失触角で,最小限の信号衰弱を保証する.
  • 介電常温系数 (TcDk): -55°Cから+150°Cの範囲で -142ppm/°Cで,広い温度範囲で安定した電気性能を示す.

 

 

標準製品仕様

銅製のフィルム:1オンス (0.035mm) リバース トリートメント フィルム (RTF) が標準提供されている.0.5オンス (0.018mm) RTF オプションも利用可能である.

 

標準厚さ:各総厚さ (銅+介電) や介電のみの厚さで入手可能.F4BME220 (Dk ≤ 2.65) の場合,最小達成可能な介電コア厚さは0.1mmである.一般的な厚さとその許容量は,製造者のデータ (e) で詳細に示されています..g,0.254mm ±0.02mm,0.508mm ±0.04mm,1.524mm ±0.06mm) について説明します.

 

標準パネルサイズ:460mm x 610mm,500mm x 600mm,および914mm x 1220mmなどの商業的に効率的なサイズを含みます.カスタムサイズは,ご希望により利用できます.

 

 

メカニカル・熱性能:

  • 剥離強度: >1.6 N/mm (1オンス RTF銅用)
  • 寸法安定性:調整可能なガラス対PTFE比によって強化される.より高いDk変種におけるガラスの含有量が高いため安定性が向上する.
  • 熱膨張係数 (CTE): XY方向: 25-34 ppm/°C; Z方向: 240 ppm/°C (-55°Cから288°C).
  • 熱伝導性 (Z方向): 0.24 W/ ((m·K).
  • 最大動作温度: -55°Cから+260°C
  • 燃やす可能性 UL 94 V-0

 

 

他の重要な特性:

  • 容量と表面抵抗:それぞれ ≥6x106 MΩ·cmおよび ≥1x106 MΩ.
  • 水分吸収: ≤0.08%
  • 熱力ストレスの信頼性: 10秒の3サイクルを260°Cの溶接浸しで,デラミネーションなしで通過する.

 

 

典型的な用途
F4BME220は,低損失,安定したDk,低PIMが不可欠な高周波回路に理想的に適しています.主要なアプリケーションには以下が含まれます:

  • フェーズシフト器具と受動部品
  • 電力 分割 器 結合 器
  • 供給ネットワークと段階配列アンテナ
  • 基地局アンテナと衛星通信システム

 

 

F4BME220は特殊で高信頼性のラミネートで 制御された介電常数 2 を提供します20RTF銅構造により,非常に低損失,優れたPIM特性があります. これは次世代RFおよびマイクロ波設計のための商業的に実行可能な高容量ソリューションです.

 

 

製品
商品の詳細
F4BME220 0.254mm 0.508mm 1.524mm 基板の上に構築された 2 面 1 オンスの処理されたホイール銅塗層ラミネート
MOQ: 1個
価格: 0.99-99USD/PCS
標準パッケージ: パッキング
配達期間: 2〜10営業日
決済方法: T/T、ペイパル
供給能力: 50000個
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
Wangling
証明
ISO9001
モデル番号
F4BME220
最小注文数量:
1個
価格:
0.99-99USD/PCS
パッケージの詳細:
パッキング
受渡し時間:
2〜10営業日
支払条件:
T/T、ペイパル
供給の能力:
50000個
製品説明

F4BME220 高周波銅塗層ラミネート

 

 

F4BME220は高性能でガラス繊維で強化されたPTFE (ポリテトラフッロエチレン)銅で覆われたラミネート設計された先進的なマイクロ波およびラジオ周波数 (RF) アプリケーションのためにこの材料は安定した電気性能の優れた組み合わせを提供しています優れた信頼性と高コスト効率により,輸入品に代わる競争力のある代替品として位置づけられています.

基本技術と構成

 


繊維布とPTFE樹脂を科学的に合成し,リバース・トリートメント・フォイル (RTF) の銅この特殊な銅製ホイール型は"E"型 (F4BME) のために極めて重要であり,ED銅を使用する標準F4BMシリーズと区別されます.RTF銅製のフィルムは,低プロフィールの表面を提供するように設計されています優れたパッシブインターモダレーション (PIM) 性能 (≤-159 dBc),細線回路のより正確なエッチング制御,高周波で導体損失を減らすために不可欠です.

 

製品の技術パラメータ 製品モデル/データ
      F4BM217 F4BM220 F4BM233 F4BM245
製品の特徴 試験条件 ユニット F4BME217 F4BME220 F4BME233 F4BME245
変電圧定数 (典型値) 10GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45
変電容量容量 / / ±004 ±004 ±004 ±005
損失因数 (典型値) 10GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012
20GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017
変電気温係数 -55°C〜150°C PPM/°C -150ドル -142 だった -130 -120
ピートオフ強度 1 OZ F4BM N/mm >1.8 >1.8 >1.8 >1.8
1 OZ F4BME N/mm >1.6 >1.6 >1.6 >1.6
容積抵抗性 普通 MΩ.cm ≥6×106 ≥6×106 ≥6×106 ≥6×106
表面抵抗 普通 ≥1×106 ≥1×106 ≥1×106 ≥1×106
電気強度 (Z方向) 5KW,500V/s KV/mm >23 >23 >23 >25
断定電圧 (XY方向) 5KW,500V/s KV >30 >30 >32 >32
熱膨張係数 XとY方向 -55°Cから288°C ppm/oC 25・34 25・34 22・30 20・25
z方向 -55°Cから288°C ppm/oC 240 240 205 187
熱圧 260°C,10秒,3倍 デラミネーションなし デラミネーションなし デラミネーションなし デラミネーションなし
吸収率 20±2°C 24時間 % ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08
密度 普通の温度 g/cm3 2.17 2.18 2.2 2.22
動作温度 高低温室 °C -55+260 -55+260 -55+260 -55+260
熱伝導性 z方向 W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.3
PIM値 F4BME にのみ適用される dBc ≤159 ≤159 ≤159 ≤159
炎症性 / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0
材料構成要素 / / PTFE,ガラス繊維の布
F4BMEはEDの銅製フィルムと組み合わせられ,F4BMEは逆のRTFの銅製フィルムと組み合わせられる.

 

主要な電気仕様

  • ダイレクトリコンスタント (Dk): 10 GHz で名値 2.20 で,厳格な許容量は ± 0 です.04.
  • 分散因数 (Df): 10 GHz で 0.001 と 20 GHz で 0.0014 の超低損失触角で,最小限の信号衰弱を保証する.
  • 介電常温系数 (TcDk): -55°Cから+150°Cの範囲で -142ppm/°Cで,広い温度範囲で安定した電気性能を示す.

 

 

標準製品仕様

銅製のフィルム:1オンス (0.035mm) リバース トリートメント フィルム (RTF) が標準提供されている.0.5オンス (0.018mm) RTF オプションも利用可能である.

 

標準厚さ:各総厚さ (銅+介電) や介電のみの厚さで入手可能.F4BME220 (Dk ≤ 2.65) の場合,最小達成可能な介電コア厚さは0.1mmである.一般的な厚さとその許容量は,製造者のデータ (e) で詳細に示されています..g,0.254mm ±0.02mm,0.508mm ±0.04mm,1.524mm ±0.06mm) について説明します.

 

標準パネルサイズ:460mm x 610mm,500mm x 600mm,および914mm x 1220mmなどの商業的に効率的なサイズを含みます.カスタムサイズは,ご希望により利用できます.

 

 

メカニカル・熱性能:

  • 剥離強度: >1.6 N/mm (1オンス RTF銅用)
  • 寸法安定性:調整可能なガラス対PTFE比によって強化される.より高いDk変種におけるガラスの含有量が高いため安定性が向上する.
  • 熱膨張係数 (CTE): XY方向: 25-34 ppm/°C; Z方向: 240 ppm/°C (-55°Cから288°C).
  • 熱伝導性 (Z方向): 0.24 W/ ((m·K).
  • 最大動作温度: -55°Cから+260°C
  • 燃やす可能性 UL 94 V-0

 

 

他の重要な特性:

  • 容量と表面抵抗:それぞれ ≥6x106 MΩ·cmおよび ≥1x106 MΩ.
  • 水分吸収: ≤0.08%
  • 熱力ストレスの信頼性: 10秒の3サイクルを260°Cの溶接浸しで,デラミネーションなしで通過する.

 

 

典型的な用途
F4BME220は,低損失,安定したDk,低PIMが不可欠な高周波回路に理想的に適しています.主要なアプリケーションには以下が含まれます:

  • フェーズシフト器具と受動部品
  • 電力 分割 器 結合 器
  • 供給ネットワークと段階配列アンテナ
  • 基地局アンテナと衛星通信システム

 

 

F4BME220は特殊で高信頼性のラミネートで 制御された介電常数 2 を提供します20RTF銅構造により,非常に低損失,優れたPIM特性があります. これは次世代RFおよびマイクロ波設計のための商業的に実行可能な高容量ソリューションです.

 

 

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